GAAFET, HKMG, 3D DRAM, EUV공정, ALD - 투자를 위한 반도체 테마 지식 Part 5
반도체 공정 기술은 지속적으로 발전하면서 더욱 미세한 회로 패턴을 구현하고 있으며, 성능과 전력 효율성을 향상시키는 방향으로 변화하고 있다. 트랜지스터 구조의 변화, 캐퍼시터 및 게이트 소재의 발전, 3D DRAM 도입, 극자외선(EUV) 공정 적용, 원자층 증착(ALD) 기술 등 다양한 혁신이 이루어지고 있다.트랜지스터 구조의 변화: Planar FET – FinFET – GAAFET미세 공정이 진행되면서 게이트 간의 폭이 좁아지고, 채널 길이도 줄어 단채널 효과(채널 길이가 짧아져 누설 전류가 증가하는 현상)가 심화되었다. 또한 캐퍼시터로부터 전하가 쉽게 유출될 가능성이 커지면서, 이를 막기 위해 트랜지스터의 구조적 변화가 필수적으로 이루어졌다.플래너(Planar) FET는 소스, 채널, 드레인이 한..
2025. 3. 4.
CPU, MPU, GPU, ASIC, 차량용반도체 - 투자에 필요한 반도체 테마 지식 Part 4
비메모리 반도체는 정확히는 시스템 반도체와 광/개별 소자로 구분되지만, 일반적으로 비메모리 반도체와 시스템 반도체는 유사한 개념으로 사용된다. 시스템 반도체는 메모리에 저장된 데이터를 연산하고 제어하며 처리하는 기능을 담당한다.기능에 따라 마이크로컴포넌트, 로직 IC, 아날로그 IC로 구분된다. 광/개별 소자는 외부에서 에너지를 흡수하여빛을 방출하거나 반대로 빛을 흡수하는 역할을 수행한다. 또한 비광학적 신호(열, 가속도, 자기장, 가스, 습도 등)를 계측하는 반도체도 포함되며, 대표적으로 CIS(CMOS Image Sensor), LED, CCD(Charge Coupled Device) 등이 있다. 마이크로 컴포넌트(Microcomponent)마이크로컴포넌트는 전자제품 작동에 필요한 수많은 명령어를 처..
2025. 3. 4.